AP9T18GH替换型号DB008NG，完全兼容AP9T18GH，可用于数码产品锂电池保护等

AP9T18GH替换型号DB008NG，完全兼容AP9T18GH，可用于数码产品锂电池保护等

型号：DB008NG

N管

电压电流：20V45A

内阻：RDS(ON)< 8mΩ@VGS=4.5V

封装：TO-252

应用：数码产品锂电池保护

Description：

This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge.It can be used in a wide variety of applications. 

Features：

1) VDS=20V,ID=45A,RDS(ON)< 8mΩ@VGS=4.5V

2) Low gate charge. 

3) Green device available. 

4) Advanced high cell denity trench technology for ultra Iow RDS(ON). 

5) Excellent package for good heat dissipation.