氮化铝(AlN)陶瓷基片，AlN半导体氮化铝陶瓷，氮化铝(AlN)陶瓷基片,AI 65.81%,N34.19%

产品名称：氮化铝(AlN)陶瓷基片，AlN半导体氮化铝陶瓷，氮化铝(AlN)陶瓷基片,AI 65.81%,N34.19%

氮化铝（Aluminum Nitride，简称AlN）陶瓷基片是一种由氮化铝材料制成的薄片或基板。AlN是一种优良的陶瓷材料，具有高热导率、优异的电绝缘性能和良好的机械性能。

AlN陶瓷基片常用作电子器件和封装材料的基底。由于其高热导率和良好的绝缘性能，AlN基片可用于制备高功率电子器件和高频电子器件，如功率放大器、射频封装、微波器件等。AlN基片还广泛应用于照明、电动汽车、电池散热等领域。

AlN基片的制备通常采用热压烧结或化学气相沉积等方法。通过粉末冶金工艺，在高温和高压下将AlN粉末形成块体，再进行切割和研磨，最终得到所需的薄片或基片形式。

AlN陶瓷基片具有一系列优点，如优异的机械强度、优良的耐热性、低热膨胀系数、良好的化学稳定性等。这使得它成为许多高温电子器件和高功率器件的理想基底材料。

总之，AlN陶瓷基片是一种高性能的基底材料，具有广泛的应用前景。它可以在高温、高功率和高频率等特殊工况下提供优异的性能和可靠性，因此在电子器件、封装材料和其他相关领域得到广泛应用。

产地：西安

规格：1mg 5mg 10mg

纯度：99%

状态：固体/粉末

储藏条件：冷藏-20℃

温馨提示：仅用于科研，不能用于人体实验！

说明：提供使用说明，核磁图谱，包装，价格，产地，制备方法，应用，稳定性，溶解度，简单合成等各种信息

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编辑：XAQYBIO HAO，2023年7月14日。