ASEMI的MOS管9N90参数，9N90电路图，9N90实物图

编辑-Z

ASEMI的MOS管9N90参数：

型号：9N90

漏源电压（VDSS）：900V

栅源电压（VGSS）：±30V

连续漏极电流（ID）：9.0A

脉冲漏极电流（IDM）：36A

功耗（PD）：49W

漏源漏电流（IDSS）：10uA

栅极阈值电压（VGS(TH)）：3V

静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：1.4Ω

输出电容（COSS）：175pF

漏源二极管正向电压（VSD）：1.4V

反向恢复时间（trr）：550nS

9N90封装尺寸：

封装：TO-220AB

总长度：28.8mm

本体长度：15.87mm

引脚长度：12.93mm

宽度：10.16mm

高度：4.7mm

脚间距：2.54mm

9N90特征：

超低栅极电荷（典型值为45 nC）

低反向传输电容（CRSS=典型值14 pF）

快速切换能力

雪崩能量指定

改进的dv/dt能力，高坚固性