【盛世清北】2021北大微电子学与固体电子学考研真题参考书分数线
以下内容由盛世清北搜集整理，主要针对北大微电子学与固体电子学考研进行说明。
微电子学与固体电子学，专业代码为080903，所属院系为深圳研究生院和信息科学技术学院。
【研究方向及初试内容】
深圳研究生院
方向：00. 不区分研究方向
科目：① 101 思想政治理论 ② 201 英语一 ③ 301 数学一 ④ 838 电子线路 或 855 半导体物理
信息科学技术学院
方向：01. 微纳电子器件及集成技术( ULSI) 02. 系统集成芯片(SOC)设计及设计方法学 03. 微电子机械系统(MEMS) 04. 宽禁带半导体器件及集成技术
科目：① 101 思想政治理论 ② 201 英语一 ③ 301 数学一 ④ 838 电子线路 或 855 半导体物理
【考研分数线】
北大838 电子线路和855 半导体物理没有官方公布的考试大纲，可参考盛世清北考研复习规划指导。
参考书目
838 电子线路
《电路分析原理》，胡薇薇，清华大学出版社，2014年;
《模拟电子技术基础》第4版，童诗白、华成英，高等教育出版社，2006年;
《数字设计:原理与实践》，J.F.Wakerly，英文原版/中译本，高等教育/机械工业出版社。
855 半导体物理
《半导体物理学》（第7版），刘恩科、朱秉升、罗晋生，电子工业出版社，2011-03。
PS：以上参考书为盛世清北推荐，仅供参考。
【考研真题】
838 电子线路
第一部分 电路分析和模电部分
简答题16分
1.求一个对称，互异的网络的z参量。第二问利用阻抗匹配原理求负载。信号源内阻多大时。有最大输出功率。
2.求一个电容网络的输出电压。利用三要素法或者laplace变换。
3rc.lc振荡电路各自优缺点。
4.三极管放大电路，差分输入型。第二级是共射，
第一问求静态工作点。第二问求电压比，Kv
5.模电部分未完待续
第二部分 数电
第七题 选择填空20分
一共26个左右空格，选20个空。
1，ADC转换精度。
2.10进制转化成二进制， 8进制。
3.ram
4.d触发器的vhdl判断。选择题
5.vhdl基本语法题
6.实物图的建立时间什么的判断，让你判断t是什么
大题部分。
八，74160异步清0，10进制计数器构成一个好像是6进制的计数器，题目是让你判断是多少进制计数器。
九，原题。数电期末，还是真题上，课本习题
两个sr锁存器，输入X1.X2 .求输出 画状态转换图。给你一个X1.X2的几个输入。让你写输出
十。同步时序电路设计
ATM机器取钱。最多进三个人。输入是x.分别表示进人出人。输出是y指示灯。，没人时自动关，有人时自动开。我设了4个状态。 S0.表示没人， s1一个人。s3三个人。。。。。然后状态编码。顺序编码00.01.10.11 说到此处强烈吐槽，我是写00.01.11.10，，，后来才改过来。。。然后用指定的d.触发器实现
855 半导体物理
一、名词解释
受主、雪崩击穿、异质结、费米钉扎(还有两个记不清了，历年真题中可以找到)
二、半导体A、B的电导率-温度曲线如下
1.说明A、B半导体的类型，并说明原因
2.A、B分别产生如下曲线的机制是什么
三、题干给出了两种材料(n型Eg较窄，p型Eg较宽)的能带图，画出这两种材料形成异质结后在如下情形的能带图
1.无外加偏压
2.施加反向偏压Va
四、p-mos管(n型衬底)中，Wm<WS，SIO2层厚度及介电常数已知，< p>
SiO2层中存在以密度为常数ρ的电荷分布
1.写出平带电压表达式
2.画出平带时的能带图
五、PN结P型区及N型区均均匀掺杂，浓度为Na，Nd
1.算出施加正向偏压Va时p区边界少子浓度
2.画出正偏时I-V曲线
3. Na，Nd很小时，I-V曲线与理想曲线有什么区别
六、同时在Si中掺入Na，Nd，Na>Nd
1.写出电荷守恒表达式
2.写出低温区Ef与T的关系
3.示意在能带图中画出Ef随T的变化曲线
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