《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集21

一：《新型氮化镓功率晶体管特性分析》

二：《氮化镓晶体管的DC_DC电源模块》

三：《适用于GaN器件的谐振驱动电路》

四：《高性能GaN纳米线阵列》

五：《GaN单晶片的表面加工工艺研究》

六：《超薄氮化镓制备及其光学性质》

七：《SiO2蓝宝石衬底对GaN生长及LED发光性能的影响》

八：《大规模GaN纳米线阵列的制备及表征》

九：《应用于LLC谐振变换器的GaN器件电路设计》

十：《GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究》

十一：《具有双异质结的氮化镓高压肖特基二极管》

十二：《抑制GaN变换器振铃的高频驱动电路设计》

十三：《六英寸Si基GaN功率电子材料及器件的制备与研究》

十四：《GaN器件大功率双向DC_DC变换器》

十五：《GaN器件的高功率谐振变换器的研究》

十六：《氮化镓功率器件的过流保护电路研究》

十七：《仿真研究温度对GaN MOSFET特性的影响》

十八：《高性能GaN-on-GaN二极管的研究》

十九：《大功率器件及材料的技术研究进展》

二十：《低压氮化镓器件谐振技术及其特性》