《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集20

一：《氮化镓半导体器件及其封装方法》

二：《600 VGaN功率器件驱动方案设计》

三：《GaN电子器件关键技术的进展》

四：《GaN功率电子器件及其应用》

五：《高效率 GaN功率放大器的设计》

六：《氮化镓半导体材料的应用》

七：《氮化镓晶体管单粒子的实验研究》

八：《氮化镓器件在变换器上的应用》

九：《国内5G用GaN功率器件的发展》

十：《GaN的高频整流器设计》

十一：《GaN功率器件芯片设计与封装集成》

十二：《氮化镓晶体管的材料与工艺解决方案》

十三：《AlGaN_GaN异质结二极管研究进展》

十四：《GaN FET的结构、驱动及应用综述》

十五：《氮化镓MOSFET封装应力检测结构》

十六：《氮化镓器件及氮化镓器件的封装方法》

十七：《氮化镓基LED芯片立式封装的方法》

十八：《共源共栅级联的氮化镓器件封装结构》

十九：《先进射频封装技术发展面临的挑战》

二十：《氮化镓HEMT的封装结构及封装方法》