GaN和SiC晶体管的区别

  摘要：氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶体管就是其中的两种解决方案。 这些器件与长寿命硅功率LDMOS mosfet和超结mosfet竞争。 GaN和SiC器件在某些方面是相似的，但也有显著的差异。 本文对两者进行了比较，并提供了一些事实，以帮助您为下一个设计做出决策。  

 宽禁带半导体：

  化合物半导体被称为宽带隙(WBG)器件。 不去回顾晶格结构、能级和其他让人头脑迟钝的半导体物理学，我们就说WBG的定义是一个试图描述电流(电子)如何在化合物半导体中流动的模型。  

  WBG化合物半导体具有较高的电子迁移率和更高的能带能，转化为优于硅的特性。 由WBG化合物半导体制成的晶体管具有较高的击穿电压和较高的耐高温性能。 这些器件在高电压和高功率应用方面优于硅。  

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