关于IGBT/三极管/MOS管的区别

重点内容已经总结好啦！🔖🔖🔖

目录📖

三极管

IGBT

MOS管

一、三极管

1️⃣三极管的基极通过电流就能控制灯泡点亮

2️⃣纯硅材料

3️⃣较窄区域高浓度N型掺杂大量自由电子

4️⃣中间极窄区域普通浓度P型掺杂少数空穴

5️⃣上边较宽区域普通浓度N型掺杂正常数量电子

6️⃣导通过程是每离开一个电子形成空穴就会扩散涌入大量电子抢占空穴

7️⃣最终汇总发射极等于基极+集电极

二、MOS管

1️⃣MOS管是给栅极施加高低电平控制导通点亮

2️⃣两边是高浓度N型掺杂底部P型掺杂除了正电空穴还会带有少数负电的自由电子

3️⃣电压达到一定时中间形成的自由电子铺满形成沟道

4️⃣导通的电阻值不小

5️⃣优点是栅极控制功耗很低但导通大电流功耗会很大

三、IGBT

1️⃣给栅极施加高低电平控制电路通行

2️⃣控制功耗很低同时导通大电流时功耗也很低