简介

反激电源是最常用的拓扑之一。其变压器漏感常会引起原边振铃，并导致会损坏 MOSFET 的电压尖峰。因此，通过变压器和MOSFET 组件的合理设计来控制振铃非常重要。针对如何降低漏感，MPS 引入了一种 RCD 钳位电路设计策略，下面我们将对此进行详细地描述。

RCD 钳位电路设计

在反激电路中，一旦 MOSFET 管关断，变压器就会将原边的能量传输到副边，但漏感能量却无法被转移，这会导致电路中的杂散电容产生振铃。漏感是产生振铃的根本原因，它占总电感量的 1% 至 5%，但却无法完全消除。不过，我们可以通过特殊的绕线方法来降低漏感。

图 1 显示的三明治绕线法（夹心绕线法）是降低漏感的一种传统方法。与制作三明治的过程类似，原边绕组（NP）被一分为二，然后将副边绕组（NS）依次缠绕在一半的NP、辅助绕组和剩下的一半NP上。

图2显示了MOSFET关断后的逆变电路，此时MOSFET两端的电压由三部分组成：最大输入电压（VINMAX）、副边折射电压（VOR = n x VO）和振铃产生的峰值电压（VSPIKE）。 在输入输出电压、匝数比（n）和MOSFET选定的情况下，应尽可能抑制VSPIKE，以确保MOSFET工作在应力范围之内。工程师通常会选择 RCD 钳位电路来抑制振铃，因为它设计简单、成本低廉并且能够有效抑制电压尖峰。

正确选择 RCD 钳位电路至关重要，因为不理想的电阻和电容值会增加 MOSFET 的应力或电路功耗。 图 3 显示出，当 MOSFET 导通时，能量存储在励磁电感 (LM) 和漏电感 (LS) 中；当 MOSFET 关断时，LM 中的能量被转移到副边，但漏感能量不会转移。漏感会被释放以导通D1，并为 C1充电。一旦充电电压达到 VCLAMP，则D1 关断，C1 通过R1放电。

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