《炬丰科技-半导体工艺》光刻胶反应剥离机理研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：光刻胶反应剥离机理研究

编号：JFKJ-21-029

作者：炬丰科技

抽象的

反应性剥离剂现在广泛用于半导体制造中以去除光刻胶。本文描述了使用轨道显影监测和法布里-珀罗干涉测量方法来定量评估从硅基板上去除硬烤和等离子体处理的光刻胶。Fabry-Perot 干涉测量系统允许将剥离剂与抗蚀剂接触时发生的过程可视化。很明显，这些剥离剂不会简单地溶解光刻胶，而是通过在氧化硅-抗蚀剂界面或本体抗蚀剂内产生微小气泡而产生裂纹和破坏抗蚀剂聚合物来促进去除。

介绍

半导体制造密切依赖于光刻技术的有效使用，以在构成电路的材料层中生成各种特征。生产设施使用光刻胶，这些光刻胶在等离子体和溶剂蚀刻、离子注入以及金属和氧化物沉积工艺步骤中会发生显着的化学改性。等离子体蚀刻和离子注入工艺会导致交联、降解和抗蚀剂改性......有效去除工艺改性抗蚀剂需要详细了解剥离机制。

详细了解剥离机制。

实验性的

光刻胶溶解速率监测——光刻胶层建模。- 由于半导体制造的影响，可以显着改变抗蚀剂剥离率。抗蚀剂涂覆期间使用的工艺参数（例如软烘烤、显影、硬烘烤时间和温度）、使用的后续工艺步骤（例如离子注入、等离子体蚀刻等）、剥离剂化学和工艺参数（例如温度、时间） 、搅拌等）可以改变抗蚀剂的溶解速率。在剥离过程中，随着溶剂界面移动通过抗蚀剂，剥离剂的浓度从剥离剂/抗蚀剂界面变化到抗蚀剂本体。形成的各种层的示意图，取决于上述参数。对于硬烤抗蚀剂，可以使用仅涉及一层的等角反射强度（CARIS）方法。

TDRM硬件，— 来自宽带光源的光通过分叉光纤束传送到安装在晶片夹具上的透镜。晶片表面中心的区域......

结论

光刻胶剥离有几种不同的机制......较高粘度的材料可能被认为对抗蚀剂具有较低的渗透性，在高温下会产生较高的剥离速率。当考虑用于产生亚微米特征的反应性剥离材料的相对优点

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