CVT晶体材料生长制备真空封管系统
SHIWEI是维-CVT真空化学气相输运制备系统主要包括高真空封管机、真空泵/泵组、专用水焊机等部分组成，原料被石英管抽真空封管后在高温炉管式炉中生长制备目标材料。CVT系统可以满足块体、粉末、薄膜等样品真空（保护气氛下）生长制备，广泛适用于二维材料（0D/1D/2D），热电材料，能源材料，光电材料，半导体材料，金属材料，纳米材料，磁性材料，超导材料等材料生长制备，已经被全球众多高校、科研院所和企业使用，特别是材料实验，科学研究和先进材料研发等领域，成为众多先进材料实验研发的必备专用仪器。
真空封管机主要适用于对材料样品在石英试管中真空环境状态下（或保护气氛下）完成封管；在试管预抽真空后，试管管壁材料经高温熔融并在外部大气压的作用下和管内石英柱体融接在一起而形成真空密封。该系统可密封的试管材料可以是普通的硼酸盐玻璃也可以是石英玻璃，设备可通过变换不同的卡套连接各种外径的试管。试管在真空密封过程中的旋转速度可以在一定的范围内进行调节，方便配合不同管径试管和焊枪的使用。封管机自带放气和充气装置。高温管式炉：控制系统国际领先，具有安全可靠、操作简单、控温精度高（PID控制）、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可通气氛抽真空(选配)等特点，主要用于高性能晶体材料快速生长制备，材料的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）、CVT工艺等。可应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。
（上/中：高真空封管机；下：泵组）
为生长制备高性能晶体材料，采用真空封管及真空化学气相输制备（或称CVT法/化学反应助升华法）是目前广泛采用的方式，该方法既可高温真空固相生长晶体材料，又可利用化学可逆反应在不同温度下反应朝不同方向进行而生长晶体材料（CVT），具有设备简单、成本低效率高、生长温度低和晶体质量高的突出特点。
SHIWEI是维-CVT真空化学气相输运制备系统主要包括高真空封管机、真空泵/泵组、专用水焊机等部分组成，原料被石英管抽真空封管后在高温炉管式炉中生长制备目标材料。CVT系统可以满足块体、粉末、薄膜等样品真空（保护气氛下）生长制备，广泛适用于二维材料（0D/1D/2D），热电材料，能源材料，光电材料，半导体材料，金属材料，纳米材料，磁性材料，超导材料等材料生长制备，已经被全球众多高校、科研院所和企业使用，特别是材料实验，科学研究和先进材料研发等领域，成为众多先进材料实验研发的必备专用仪器。
真空封管机主要适用于对材料样品在石英试管中真空环境状态下（或保护气氛下）完成封管；在试管预抽真空后，试管管壁材料经高温熔融并在外部大气压的作用下和管内石英柱体融接在一起而形成真空密封。该系统可密封的试管材料可以是普通的硼酸盐玻璃也可以是石英玻璃，设备可通过变换不同的卡套连接各种外径的试管。试管在真空密封过程中的旋转速度可以在一定的范围内进行调节，方便配合不同管径试管和焊枪的使用。封管机自带放气和充气装置。高温管式炉：控制系统国际领先，具有安全可靠、操作简单、控温精度高（PID控制）、保温效果好、温度范围大、炉膛温度均匀性高、温区多、可通气氛抽真空(选配)等特点，主要用于高性能晶体材料快速生长制备，材料的预烧、烧结、镀膜、高温热解低温沉积（CVD）、CVT工艺等。可应用于高等院校、科研院所、工矿企业等实验和小批量生产之用。
主要技术指标
1.CVT系统内由高真空封管机和高精度开启式管式炉组成，高真空封管机和管式炉即可单独使用也可以组合成CVT化学气相输运系统以及CVD化学气相沉积系统。
2.封管机真空漏率：2x10-9Pa·m3/S(经氦质谱捡漏);
3.可密封石英管管径/长度：Φ10，Φ15，Φ20mm等/150-450mm;
4.可密封石英管壁厚：1-2mm
5.封管状态：竖直/水平
6.可密封对象：固体/液体/气体，包括块体、薄膜、粉末、液体和器件等；
7.旋转速度：0-20r/min可调;
8.真空接口：KF16/KF25
9.充气接口:6-8mm;
10.电源: 220V/380V±5% ，50Hz;
11.专用水焊机产气量：600L/H；
12.专用水焊机火焰最高温度：约2800℃；
13.封管机真空测量：电阻真空计/全量程真空计
14.充气压力测量：压力表
15.选配管式炉：炉管尺寸 Φ50×1000mm/Φ60×1000mm/Φ80×1000mm/Φ25×1000mm。
加热原件：电阻丝。加热区长度：220mm/220mm。恒温区长度：100mm/100mm。
工作温度：≤1100℃。最高温度：1200℃。控温方式：分段独立温控+PID智能化可编程控制。恒温精度：±1℃。炉门结构：开启式。额定功率 3.5KW。外型尺寸 ：600×400×520mm。炉膛尺寸：Φ120×200×2mm。产品净重：约50Kg
16.其他可选配置：真空油泵/干泵/分子泵真空机组；材料样品转移装置（与净化手套箱配合使用）；箱式炉/管式炉；电火花真空检测仪；应力测试仪；真空管接头；液氮冷阱；机台；高纯石英管；气体流量计控制单元。
设备特点及优势
实用性
系统设备原理设计先进，结构紧凑，占地面积小，可以放置于实验桌面或通风橱内，目前已被国内外高校、科研院所和企业广泛使用，应用于各种材料生产合成和器件制备。
方便性
系统采用集成模块化设计生产，组装安装调试简单，易于操作方便使用。
兼容性
系统可独立使用并开放兼容，可无缝衔接匹配封管机、净化手套箱，箱式炉/管式炉，镀膜仪，二维材料转移平台等设备。
安全性
满足真空行业关于真空系统设备研发，生产，检验，操作使用等相关标准。
配有安全阀、静电防护及电器线路防爆设计，满足电气工业安全标准，杜绝发生安全事故。
先进性
系统采用自动化真空封管+高精度管式炉，满足多种材料器件的快速生长制备。“二合一”功能--CVT化学气相输运系统+CVD化学气相沉积系统。
设备安装条件
供电要求
设备供电总功率≤3KW，220V，50Hz，单相三线制（一火一零一地）；
插座距离设备尺寸≤2m；
供气要求（根据需要选用）
气瓶经减压之后的气体，氮气/氩气/氦气等安全保护性气体；气压不超过-0.6bar
尺寸（约）
1200*700*1300mm
环境要求
环境温度：5～40℃；
环境湿度：＜85%R.H；
室内无大量尘埃，无腐蚀性、五毒，无易燃易爆气体；
禁止在密闭不通风空间内操作使用本系统。
其他要求按照系统操作说明。
技术及售后服务
售后服务
产品质保期为一年；可提供上门培训，技术指导操作等售后服务。
在质保期内供方将免费维修和更换因设备质量原因造成的零部件损坏；
在质保期外设备零部件的损坏，提供的配件只收成本费；
交货时提供全套技术文档和资料。
CVT真空封管及化学气相输运生长制备材料功能应用：
序号
材料类型
功能应用
1
零维材料0D
气相固相可控合成，生长、掺杂、纯化、改性
2
一维材料1D
气相固相可控合成、生长、掺杂、纯化、改性
3
二维材料器件2D
真空化学气相输运生长
4
插层、堆叠、嵌入、交换、合金化
5
掺杂调性改性，可控合成生长
6
二维无机分子材料可控生长
7
二维材料范德华异质结组装封装
8
单晶生长
真空气相输运法生长单晶，可控合成生长单晶，晶体材料快速生长制备
9
热电材料器件
SHS自蔓延高温燃烧合成，MA机械合金化
10
高温烧结固相合成
11
高温真空熔融淬火加退火，掺杂改性
13
高温真空还原
金属氧化物电子化合物高温真空还原
14
新能源电池材料
正极材料、负极材料，电解质材料等，焙烧、煅烧、烧结、熔融、包覆、掺杂、嵌入、碳化、活化和改性，高温固相合成，真空气氛烧成反应
15
锂硫电池
硫化物熔融淬火，载硫，硫化
16
杂化材料
MOFs，COF合成制备，杂化材料组装，层状自组装聚合（LPA），新型杂化范德华异质结构
17
晶体生长
单晶、多晶及功能晶体材料生长
18
光电材料/OLED
光电材料、显示材料、OLED光电功能材料生长合成
19
量子材料
超导材料，量子点材料，低维材料等
20
超导线带材
生长制备超导线带材
21
超导材料
超导单晶材料生长、掺杂改性
22
储能材料
焙烧，煅烧，烧结，熔融
23
碳材料
气相输运，气相沉积
24
微纳材料
气相输运，气相沉积
25
电介质材料
固相烧结
26
催化材料
还原，烧结，熔融，固相合成反应，气相合成，气相沉积，气相输运
27
金属材料
烧结，熔炼，热处理，退火、正火、淬火、回火
28
无机非材料
焙烧，煅烧，烧结，熔融
29
高分子材料
无水无氧合成、聚合、浓缩、活化
30
半导体材料器件
气相输运，气相沉积，掺杂，改性
31
电子功能材料
气相输运，气相沉积，掺杂，改性
32
智能材料
焙烧、煅烧、烧结、熔融、包覆、掺杂、嵌入、碳化、合成、烧成、活化和改性
33
稀土材料
焙烧、煅烧、烧结、熔融、包覆、掺杂、嵌入、碳化、合成、烧成、活化和改性
34
磁性材料
焙烧、煅烧、烧结、熔融、包覆、掺杂、嵌入、碳化、合成、烧成、活化和改性
35
复合材料
焙烧、煅烧、烧结、熔融、包覆、掺杂、嵌入、碳化、合成、烧成、活化和改性
36
有机材料
合成，氧化，还原，催化
37
电子芯片
掺杂，热处理，真空排气除气
38
生物材料
冷藏，储存
