NPTB00004A

GaN 放大器 28 V，5 W，直流 - 6 GHz

NPTB00004A GaN HEMT 是一款宽带晶体管，针对 DC-6 GHz 操作进行了优化。该器件专为 CW、脉冲和线性操作而设计，输出功率水平高达 5W (37 dBm)，采用行业标准表面贴装 SOIC 塑料封装。在低于 3GHz 的频率下，NPTB00004A 是 NPTB00004 的替代品。

特征

• 57% 漏极效率 @ 2.5 GHz

• GaN on Si HEMT D 模式晶体管

• 可调谐从 DC - 6 GHz

• 行业标准 SOIC 塑料封装

• 28V操作

产品规格

• 零件号

• NPTB00004A

• 描述

• GaN 放大器 28 V，5 W，直流 - 6 GHz

• 最小频率(MHz)

• 0

• 最大频率(MHz)

• 6000

• 电源电压(V)

• 28

• PSAT(W)

• 5.0

• 增益（分贝）

• 17.0

• 效率

• >50

• 测试频率(GHz)

• 2.50

• 包裹

• SOIC8NE

• 包裹类别

• 塑料

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