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从无到有,彻底搞懂MOSFET讲解(九)

2021-08-26 09:19 作者:张飞实战电子  | 我要投稿

通过对上面回路的分析,我们认为,对于互补输出电路来说,下管关闭期间,上管瞬间导通,导致下管GS出现干扰,有可能下管误导通。比如说,下管的导通阈值是4.5V。如果干扰波形的幅值小于4.5V,这个是安全的。

误触发信号受哪些因素影响:

1、控制信号和Id电流回路太大;

2、地线的干扰影响;

3、GS阻抗的影响;

4、MOSFET本身特性的影响。

选择MOS管的考量因素:

1、高压管子:

AC120V  DC170V以上的管子,建议使用高阈值的管子。

2、低压管子:

a)大电流:用高阈值

b)小电流:用低阈值

接下来分析,在死区期间,下管导通是什么样的回路。

 

下管导通瞬间,上管是关闭的。那么下管导通瞬间,是发生在下管的Rdson从无穷大到很小的过程中的。

那么下管突然导通,M点的电压肯定会被拉低,既然被拉低,必然有一个回路存在。如下图所示:


 

当下管开通瞬间,会产生上面这条回路。必然对上管的栅极电压产生影响,也会导致在平台期间上管出现误触发。所以,要选择高阈值的管子更好一些。

总结性结论:

1、开通慢,关断快。

2、尽量选择高阈值的管子。

3、选择低阈值的管子。(消费类玩具等行业,低压小功率场合)

4、选择合适的平台宽度。

平台太宽,波形好,但是发热大;

平台太窄,波形不好,产生干扰,发热更大。

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