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NMOS选型

常用作电子开关于DCDC开关电源，反激电源，（非）同步整流BUCK降压电路，锂电池保护板，无人机电调板，防反接电路，无桥PFC，单相逆变，三相逆变，变频，无线充电等。

屹晶微：EG1162

高电压大电流降压型开关电源芯片

捷微， JMSH1006AG

NMOS

耐压：100V

导阻：5.3毫欧

封装：PDFN5*6

Cellwise-CW1274

锂电池管理芯片

华润微，CRSS052N08N

NMOS

耐压：85V

导阻：4.6毫欧

封装：TO263贴片

4个BLDC，各需要6个NMOS，共计24个NMOS。

万代 AOS-AON7934

NMOS

30V，Dual Asymmetric N-Channel AlphaMOS

R004, 4毫欧，取样电阻

每个桥臂一个

TI, DRV8313

三个半H桥驱动器集成电路（IC）

Active-Semi- PAC5223

电机驱动芯片 （4颗）

ALPHA&OMEGA, AON7934

不对称n通道AlphaMOS芯片（12颗）

STC32G12K128

TPN2R703NL, NMOS

FD6288Q, 栅极驱动

TPN2R703NL， NMOS

电压：30V

电流：90A

TPH4R008NH，NMOS

18片，3片并联

63V330uF电解电容，两个并联

TPH1R403NL， NMOS

漏源电压(Vdss)：30V

连续漏极电流(Id)：150A

功率(Pd)：64W

导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mOhm@10V,30A

阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.3V@500uA

IR2104/IR2184, 驱动器

IRLR7843, NMOS

NMOS等效电路

K闭合时：

Vgs(th) < Vgs < Vgss

导通时管压降：Id*RDS(on)

功耗：Id² *RDS(on)

提示：

1. RDS(on) 越小越好；
2. RDS(on)和Vgs相关，Vgs越大，RDS(on)越小；
3. Id越大，RDS(on)也会越大；
4. 温度T越大，RDS(on)也会变大。

• Vds: Drain-source voltage
• Id: Drain current (DC)
• Tc=25°C
• Tc=100°C 更可靠
• Rds(on): Drain-source on-resistance
• Vgss: Gate-source voltage
• Vgs(th): Gate threshold voltage
• Qg: Total gate charge (gate-source plus gate-drain)
• Footprint

Vge=Vcc - Vd = 12V-0.35V=11.65V

• Vd：自举二极管(肖特基)的管压降

Cg=Qg/Vge = 21nC/11.65V = 1.8nF

Cboot > 10*Cg = 18nF，22nF,47nF,68nF ...470nF都可以选取。

实例中：4.7uF值太大，每次电容未充满就给栅极供电，会导致Vgs太小，Rds(on)上升，并导致NMOS管发热。