《炬丰科技-半导体工艺》硅衬底氮化镓蓝光 LED 发光特性研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅衬底氮化镓蓝光 LED 发光特性研究

编号：JFKJ-21-308

作者：炬丰科技

【摘要】

       氮化镓在照明设备内应用，具有较高发光效率，进而具有良好发展前景。现阶段，其中相对成熟工艺就是单晶硅，同时单晶硅价格相对低廉，可以生产大尺寸半导体材料。近几年，研究人员致力于在硅衬底上应用氮化镓薄膜，并且有关工艺已经较为成熟。本文在对硅衬底氮化镓基蓝光 LED 发光特性分析研究，就是希望可以为降低 LED 应用经济成本提供提供一定依据。

【关键词】 氮化镓 硅衬底 蓝光 LED 量子效率

单阱与多阱蓝光 LED 发光特性对比

单阱与多阱蓝光 LED 封装样品在应用相同测试方法及仪器情况下，笔者得到了外量子效率变化曲线。蓝光 LED 所接收到的电流密度在低于 0.2A/cm2 情况下，多阱蓝光 LED 样品 EQE 要小于单阱蓝光 LED。

不同位置的垒掺硅 LED 的发光特性

2.1 样品制备

2.2 样品 PL 发光和 EL 发光对比

在对制备好的样品进行管芯测试完毕之后，计算不同测试结果平均数值，这样管芯测试结果才具有较高可信度。

2.3 封装后样品 EL 光特性

样品在制备完毕之后，其中一个样品进行封装处理。为了对比更加方便，在选择最为接近发光波长，保证区域选择合理，进而对样品进行 EL 谱测量。

三、结论

硅衬底氮化镓基蓝光 LED 作为白光重要组成部分，在实际应用中不仅具有较高发光效率，同时成本相对低廉。