《炬丰科技-半导体工艺》半导体电化学方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体电化学方法

编号：JFSJ-21-082

作者：炬丰科技

摘要：

 Mott-Schottky (M-S) 分析单晶 ZnO/电解质界面阻抗数据对于半导体/电解质 (SC/El) 结的特征能级位置的有效性。这项工作将在以下几页中进一步讨论，因为它对用于表征半导体钝化膜/电解质界面的 M-S 分析的传播产生了巨大影响。

显示了标准状态下不同卤化物氧化还原对在 pH~0 时氧化钨的特征能级以及溶液中的费米能级。文章全部详情，请加V获取：hlknch/xzl1019。

根据 Gerisher 的半导体/电解质结处的电子转移模型，在阳极极化下，预计不会从卤离子（溶液中占据电子状态）到 n 型无定形 WO3 的明显直接电子注入。这是由于溶液中的全电子态与氧化物导带中的空扩展态之间的重叠可以忽略不计。这种解释通过对无源器件的电击穿电位没有任何影响而得到证实。

如有侵权，请联系作者删除