《炬丰科技-半导体工艺》分子束外延在低温清洗中的应用
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：分子束外延在低温清洗中的应用
编号：JFKJ-21-276
作者：炬丰科技
摘要
本文研究了在分子束外延腔中对硅晶片进行了低温(470-650℃)生长,预退火后得到的Si表面的结构性能。在HF和NH4F水溶液中对硅表面进行了初步的化学处理。已经证明光滑的表面是由宽阔的梯田构成的,而在< 600℃温度下获得的清洁表面是粗糙的。研究发现，清洁表面的结构性质与氢热脱附温度和氢热脱附温度有很大的关系。
介绍
降低工艺过程温度是硅超大规模集成电路的重要要求之一 。目前，去除二氧化硅保护层是在湿化学蚀刻过程中形成，在温度为800℃是硅生长前清洗的主要方法。
实验技术与样本 略
STM和rheed的探索
表面脱氢效应
探索的Si(001)表面清洁的原子热解吸，允许一个标记两个特征范围的处理温度在600℃以下和600℃以上，物理过程导致不同的表面结构的形成。
样品加热过程中RHEED模式的动力学
