MOS电容

第一个NMOS电容，随着VGS变化会有三个区，积累区，形成和衬底相同的电荷，耗尽，衬底电荷被排斥，留下离子，离子不导电。反型层，形成和衬底相反的电荷。为什么会出现，电容大小的变化，是因为电荷的变化。

将PSUB中加入nwell，就不会出现与衬底电荷相反的情况，也就没有反型，只有耗尽，和积累。