【电子】模拟电子技术基础 上交大 郑益慧主讲（模拟电路/模电 讲课水平堪比华成英
康华光第六版
2运算放大器（36，37）：
- 分析原则：虚短Up=Un（前提深度负反馈）
虚断iI=0 iN=iP=0（ 任何时期都有，因为集成运放的差模输入电阻非常大）
叠加原理
2.反相比例运算电路y=-kx
（没有明确指出的话Ui，Un，Uo就是指对地电压）
建立Uo与Ui的关系
Up=Un 然后用Uo和Ui把这两个表示出来
a:(虚短ip=0)：Up=0
（叠加原理分别作用，算Ui时Uo置零，算Uo时Ui短路）：Uo=-（Rf/R）Ui
b: Up=Un=0
iR=Ui-Un/R=Ui/R 电阻两端电流电压成比例
（虚短iN=0）iF=iR
if=Un-Uo/Rf——Uo=-Rf x iF
Ui与Uo分别通过R，Rf与iR，iF成比例
最后Uo=-（Rf/R）Ui
3.同相比例运算电路y=kx
电压串联负反馈
R‘的作用：平衡电阻
Up=Ui（虚短Up=Un，使得Ui去到N点）Un=Ui
iR=Ui/R （成比例）
然后iF与Uo成比例
(虚断iN=0) iR与iF联立iR=iF
4.求和电路
a:反向求和电路
比例电路——求和电路
两边电流是相等——两边电流是求和
iF是前面三个电流的和（kcl）
然后iF与Uo成比例
b:同向求和电路
5.求差电路
把输入减少——
5双极结型三极管（BJT）及其放大电路（6）
1.结构：三个区域，三个电极，两个PN结
发射区e：发射载流子（掺杂浓度最高）
基区b：控制载流子（稀，薄）
集电区c：收集载流子（面积最大）
箭头端是发射区，箭头由P指向N
箭头的方向指的是发射结导通的方向
2.作用:（放大不能失真）
电流放大作用
3.基本共射放大电路
Rb限流电阻——最大的电流也就Vbb/Rb
Vcc>Vbb：发射结正向偏置，集电结反偏
发射极e接地是0，基极b电位是Vbb,
集电极c电位是Vcc
基极电位大于发射极电位，发射结正偏
集电极电位大于基极电位，集电极反偏
即当P端电位大于N端电位时，PN结导通
ib和ic成比例，ic由于Vcc所以是一个放大电流
4.放大原理：
a.发射结正偏:正向导通，扩散运动开始，发射区的自由电子（高浓度）走向基区ien，基区的多子空穴也向发射区扩散iep（ien大）
b.基区继续向集电结扩散
c.集电结反偏：有一个向下的电场，所以过来的自由电子被快速收集，保证了浓度梯度的动态平衡
加大了漂移运动
5.放大系数：
a.直流放大系数和交流电流放大系数（近似）
共射电流放大系数Ic/Ib
b.穿透电流ICEO
c.发向电流ICBO
d.共基电流放大系数Ic/Ie
6.BTJ共射特性曲线
当集电极电压逐渐增大的时候，集电结的正偏慢慢的变成了反偏，漂移运动逐渐增强，集电结收集电子而当UCE=1v的时候，集电结已经将发射结扩散到基区的电子全部收集走
