概述

    本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F030R8T6，64K大小的Flash。

硬件准备

   首先需要准备一个开发板，这里我准备的是NUCLEO-F030R8的开发板。   

选择芯片型号

    使用STM32CUBEMX选择芯片stm32f030r8，如下所示：

配置时钟源

    HSE与LSE分别为外部高速时钟和低速时钟，在本文中使用内置的时钟源，故都选择Disable选项，如下所示：

配置时钟树

    STM32F0的最高主频到48M，所以配置48即可：

串口配置

    本次实验使用的串口1进行串口通信，波特率配置为115200。

生成工程设置

    注意在生产工程设置中不能出现中文，不然会报错。

代码生成设置

    最后设置生成独立的初始化文件。

生成代码

配置keil

代码

    在main.c中，添加头文件，若不添加会出现 identifier "FILE" is undefined报错。

    函数声明和串口重定向。

    变量定义。

    如果要对FLASH进行写入数据，需要执行以下四步：

1. 解锁FLASH

2. 擦除FLASH

3. 写入FLASH

4. 锁住FLASH

    擦除只能是按页或者整块擦除。

    STM32F030芯片内部的Flash存储器内存分布如下：

    STM32F030R8T6的Flash容量是64KB,所以只有63页，每页1KB。

    我们可以写入到页60中，即0x08007000-0x080073FF中。

    由于单片机是32位，故连续写入多个uint32_t的数据时，地址应该依次增加4。

    主程序。

演示效果

    通过keil查看地址也可以看到，值正确写入。