仅1年我国光刻机就实现重大突破，清华大学一发现让ASML惊了

华为前两年发展得如此迅速和顺利，让老美瑟瑟发抖，为了限制华为的发展，可谓是阴招尽出。第一波的制裁没有起到太大的作用，华为早有地方准备，自己拿出了准备多年的鸿蒙和HMS应用商店，HMS应用商店早就在国外上架，而在MateX2的发布会上，余承东也表示4月份，鸿蒙OS手机系统也将正式和大家见面。

但是千算万算没有算到，第二个阴招来得这么快，这一次居然在芯片代工方面掐住了华为脖子，大家都知道芯片这个问题不是那么简单的，华为的麒麟芯片虽然很强大，但是其实华为是指设计芯片，但是在制造方面，一直是个空白，并没有提前做准备。因此我们国家紧急启动了“芯片产业链自我构建行动”，并且计划在2025年实现70％的芯片自给率，毕竟靠谁都不如靠自己呀。

众所周知，我们制造芯片最大的问题就是没有合适的光刻机，世界上光刻机技术最好的是阿斯麦尔（ASML），但是由于一些特殊的原因，我们没有办法采购，而目前我们国家自主研发的光刻机最高水准是来自于上海微电子，也仅仅能达到22纳米工艺水准，并且不是极紫外光的光源，而是深紫外光。像阿斯麦尔的高精度光刻机使用的就是极紫外光，叫做EUV光刻机，而我们这种深紫外光的只叫做DUV光刻机，别看只是一个字的区别，真要突破这1个短板是非常难的，因此我们国家很多半导体以及芯片公司都参与到了这个行动当中，年前有消息曝出华为在上海准备开建芯片制造工厂，希望在芯片上能够避开美国的技术封锁，完全实现自己自己的技术，达到自给自足。

中科院方面也把EUV光刻机的研发放在了优先级，同时一些半导体和芯片企业还加大了同日本光刻机公司的合作，比如日本的尼康，希望通过共同合作的方式，能够尽快的让我们中国技术的光刻机早点与大家见面。

近期清华大学有一则消息，让我们为之振奋。2月25号唐传祥团队宣布发现了一种新型的粒子加速器光源，并完成了首个原理验证实验，光源是EUV光刻机研发过程中最核心的也是最重要的技术，只要攻克的这一方面，那么我们的EUV光刻机也就成功一半了。清华大学找的这种新光源波长可以覆盖从太赫兹到极紫外波段，说白了就是极紫外光，这个发现对我们EUV光刻机的研发至关重要。而清华大学给这个新型的加速器光源取得的名字叫做“稳态微聚束”。当然了，现在如果说成功还是太早，因为这种新的光源目前只是刚刚的发现，还处于一个实验室的研发阶段，至于什么时候能够进入到应用阶段，还要通过大家的不断努力！

不可否认的是，这个突破确实来得快了一点，毕竟从我国提出“芯片产业链自我构建行动”到现在能有这么重大的突破，仅仅用了一年的时间而已，这让阿斯麦尔公司也吃了一惊，其实这些年，我们国家的科技发展是非常的快的，我们应该给予我们的科研人员更多的信心，目前中科院和上海微电子公司正在积极地推动光刻机的相关配套技术的发展，而清华大学也在极紫外光上实现了重大突破，相信用不了多久，一定还会有更多的惊喜出现，也许我们自己的EUV光刻机不会像想象的那样来得那么晚。

现在，我们国家对于芯片是高度的重视，各个相关企业也纷纷加大在芯片制造领域的研发，制造芯片用的光刻胶以及晶圆等方面也在努力突破中，受影响最大的华为也已经在研发EDA软件技术了，可谓是从各个角度全方位的围攻芯片制造。而我们的中芯国际的代工工艺也有望在不久的将来实现7nm的突破，如今5nm的频频翻车和台积电的大幅减少5nm芯片出货量，也给我们提供了一些缓冲的时间。也许还有很多已经有的突破由于技术还不够成熟，现在还不方便公布，但是相信用不了多久，惊喜会一个接着一个的到来的。而当我们真的能突破芯片制造业的技术壁垒以后，我们就不会再被别人掐着脖子了。

大家觉得我们能不能完成芯片制造的突破呢？大家觉得需要多久呢？ 欢迎在评论区留言，我们一起交流，一定记得点赞、转发加评论哦！感谢感谢！