《炬丰科技-半导体工艺》晶体硅刻蚀技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶体硅刻蚀技术

编号：JFKJ-21-297

作者：炬丰科技

摘要

  薄晶片已成为各种新型微电子产品的基本需求。用湿蚀刻法变薄的晶圆与标准机械背磨削相比，背面加工的应力更小。硅的各向同性湿法蚀刻是典型的，用硝酸和氢氟酸的混合物做的。当硅被蚀刻并并入蚀刻溶液时，蚀刻速率将随时间减少。这种变化已经建模。本文的重点是对维修过程控制技术进行比较，蚀刻速率与时间和所加工晶圆的函数一致。

关键词:各向同性和各向异性刻蚀，MEMS, SOI, LPCVD

介绍

  微机电系统(MEMS)是一个集成系统由机械元件和电子电路共同组成衬底通过采用微细加工技术来实现高性能设备，尺寸范围从更小而不是一微米到几微米。大多数MEMS设备目前是基于硅的，因为表面可用加工技术。硅是一种MEMS材料选作蚀刻研究的重点。蚀刻技术在薄膜工艺中起着重要的作用在半导体行业。同位素/各向异性蚀刻的硅被用来获得不同的微结构。各向异性硅的蚀刻广泛采用KOH溶液腐蚀剂。

实验的程序

  小型化生产方法的发展机械元件和器件与硅是自然的产物硅的表面加工方法已发展为微电路生产。朝这个方向走，我们将1份KOH颗粒称入a中，制备新鲜KOH溶液然后加入2份去离子水。例如，使用100g KOH和200ml水。在温暖的表面上混合直到KOH溶解。向溶液中加入40毫升异丙醇。

结果与讨论   略

硅各向异性腐蚀

结论  略