华林科纳行业观察-宽带隙半导体市场展望

华林科纳预测到 2032 年，全球宽带隙半导体市场预计价值8.318 亿美元，高于2022 年的 2.413 亿美元，在预测期内以 13.2%的复合年增长率增长。随着制造商在射频应用中大量使用碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)，对宽带隙半导体的需求正在上升。

宽带隙半导体材料广泛用于在高电压、高温和高频率下运行器件。这一因素正在增加对宽带隙半导体的需求。

宽带隙半导体是用于制造蓝色和绿色激光器和 LED 的主要部件。还预计对宽带隙半导体的需求，特别是在军用雷达中。此外，宽带隙半导体市场制造商正受益于平板电脑和智能手机使用量的增加。

因此，预计宽带隙半导体市场在预测期内可能会出现显着的宽带隙半导体市场增长。

宽带隙半导体市场的需求驱动因素是什么？

预计宽带隙半导体市场趋势和预测是宽带隙半导体市场机会的关键驱动因素。在线视频流的增加使移动设备用户的数量翻了一番。

这反过来又导致了数据的高使用率。因此，宽带隙半导体市场的制造商正在将 SiC 和 GaN 基半导体用于高性能电信和无线系统。这提振了对宽带隙半导体的需求，推动了宽带隙半导体市场的增长和宽带隙半导体市场的未来趋势。

此外，为了管理数据使用中的高负载流量，宽带隙半导体得到了实施，并且越来越多地被采用以支持操作带宽。推动宽带隙半导体市场规模扩大的原因是它们有助于更高的电压操作和易于阻抗匹配。

此外，LED 照明市场的良好增长预测正在为宽带隙半导体生态系统中的制造商创造更多的宽带隙半导体市场机会。宽带隙半导体的采用可以节省能源并延长 LED 照明的使用寿命，这对所有消费者来说都是一种有效的选择，并推动了宽带隙半导体市场的增长。

除此之外，宽带隙半导体为实现电力电子领域的重大突破提供了另一种方法。电动汽车制造商正在采用宽带隙半导体来制造不同的汽车部件，例如 HV-LV DC-DC 转换器、驱动器 IC、车载充电器、电机驱动器和充电设备。预计这一因素将在预测期内推动宽带隙半导体采用趋势。

宽带隙半导体市场的驱动挑战是什么？

除了驱动因素外，还有一些因素可能会在预测期内抑制宽带隙半导体市场的增长。

预计宽带隙半导体的制造成本很高。由于制造宽带隙半导体的材料的可用性、与生产宽带隙半导体相关的成本以及其他初始高资本投资可能阻碍宽带隙半导体的一些未解决问题，宽带隙半导体的整体销售额一直很低。半导体市场在未来几年的增长。

区域分析

北美宽带隙半导体市场表现如何？

预计在 2022-2032 年的预测期内，北美可能会主导宽带隙半导体市场。目前，北美地区累计占宽带隙半导体总市场份额的36.3%。

由于该地区智能设备的使用和采用增加，预计北美将有利润丰厚的宽带隙半导体市场增长。他们正在提高大多数电子设备的硬件可靠性和能耗。

此外，北美汽车领域的快速崛起，进一步刺激了对宽带隙半导体的需求和宽带隙半导体的采用，有助于扩大宽带隙半导体市场的增长以及宽带隙半导体市场规模。

欧洲宽带隙半导体市场的增长前景如何？

预计欧洲将跟随北美在宽带隙半导体市场扩大宽带隙半导体市场份额。目前，欧洲占整个宽带隙半导体市场份额的 20.7% 。

该地区发展中的 IT 和电信行业以及该地区的消费电子产品对节能半导体的需求不断增加。欧洲地区也正在接受政府资助，这正在鼓励投资者利用所提供的好处。该地区廉价劳动力的可用性正在影响宽带隙半导体市场的增长。

宽带隙半导体市场的主要发展

宽带隙半导体市场的一些关键发展是：

ROHM Semiconductor 是宽带隙半导体（SiC 和 GaN）的领先制造商。2010年开始量产SiC肖特基二极管、SiC平面MOSFET等功率元件。2019年2 月，该公司宣布计划在先进机器的帮助下升级其现有的 WBG 半导体生产设施。

2019年8 月，安森美半导体宣布在其产品线中引入宽带隙硅碳 MOSFET。该公司预计，由于对用于汽车电气系统和电动汽车等应用的 WBG 半导体的需求增加，该新产品将在未来几年出现高需求。

创业生态系统

新进入者如何彻底改变宽带隙半导体市场？

宽带隙半导体市场的初创生态系统非常活跃，创新频繁。宽带隙半导体市场的初创企业正专注于改进集成 SiC 和 GaN 的设备，以便为消费者提供高功率组件。

GaN Systems 是一家获得 C 轮融资的加拿大初创公司，为电动汽车电力电子领域的多种应用提供 GaN 半导体。它声称总功率损耗降低了 50%，系统成本降低了 20%，功率密度提高了 3 倍。

总部位于美国的 SLD Laser 是一家由宽带隙半导体市场先驱创立的深科技公司，为 LiDAR、HUD 和其他汽车照明系统应用提供基于 GaN 的半极性光源。

获得 STMicroelectronics 重大投资的瑞典 Norstel AB 声称，在 SiC 上部署 HEMT 外延可以实现雷达系统在高频下的目标性能。

竞争格局

谁是宽带隙半导体市场的主要市场参与者？

宽带隙半导体市场的主要参与者是 Efficient Power Conversion Corporation、Mersen SA、Everlight Electronics Co、Avogy, Inc.、东芝公司、富士通有限公司、瑞萨电子公司、NXP Semiconductors NV 和 Cree Inc.。

与宽带隙半导体市场相关的其他知名供应商包括 Fairchild Semiconductor、GeneSiC Semiconductor, Inc.、Infineon Technologies AG、Infineon Technologies AG、MicroGaN Gmbh、United Silicon Carbide Inc.、Microsemi Corporation、Vishay Intertechnology, Inc. Mitsubishi Electric、Nitronix Nanotechnology Corporation、Powerex、ROHM Semiconductor、意法半导体、Sanken Electric Co., Ltd.、Semikron、Semisouth Laboratories, Inc. 和 Shindengen Electric。

这些主要参与者正在不断地合作、升级和努力，通过对能源和功率器件的高频法规来扩大宽带隙半导体市场，以促进宽带隙半导体的销售。