中芯国际第二代FinFET已进入小量试产，14nm工艺再度进化

中关村在线

12月4日，有投资者在互动平台提问“请问近来公司7纳米产品生产研发进展如何？在国内外将产生怎样的影响？”对此，中芯国际回复“公司第一代FinFET 14nm已于2019年四季度进入量产，第二代FinFET已进入小量试产。”

中芯国际第二代FinFET已进入小量试产

中芯国际2019第四季度财报会议上，梁孟松博士透露了中芯国际下一代“N+1”工艺的详细数据。梁孟松博士透露，中芯国际的下一代N+1工艺和14nm相比，性能提升了20%，功耗降低了57%，逻辑面积缩小了63%，SoC面积减少了55%。

所以在功率和稳定性方面，N+1和7nm工艺非常相似，唯一区别在于性能方面，N+1工艺的提升较小，市场基准的性能提升应该是35%。所以，中芯国际的N+1工艺是面向低功耗应用领域的。