《炬丰科技-半导体工艺》晶体学的 P-GAN 湿法蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：晶体学的 P-GAN 湿法蚀刻

编号：JFKJ-21-258

作者：炬丰科技

摘要  

  近年来，由于氮化镓垂直功率器件的广泛应用，氮化镓垂直功率器件受到越来越多的关注，在高击穿电压/高电流应用中优于横向晶体管以及热性能。沟槽刻蚀是实现高电压沟槽基垂直GaN器件的关键技术;由于电场拥挤导致设备初步故障。 

氮化镓与Si

  电力电子学是固体电子学在控制和控制方面的应用。这些大多数载波设备更快，更坚固，有更高的电流 ，与少数运营商的竞争对手相比，前者的利润要高得多 硅一直是半导体领域的主要材料 。