BSZ033NE2LS5 英飞凌 infineon 芯脉芯城

BSZ036NE2LS 英飞凌 infineon 芯脉芯城

品牌

INFINEON

封装

QFN

批号

22+

数量

420

制造商

Infineon

产品种类

MOSFET

RoHS

是

安装风格

SMD/SMT

封装 / 箱体

PG-TSDSON-8

通道数量

1 Channel

晶体管极性

N-Channel

Vds-漏源极击穿电压

25 V

Id-连续漏极电流

40 A

Rds On-漏源导通电阻

3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压

10 V

Vgs th-栅源极阈值电压

1.2 V

Qg-栅极电荷

16 nC

最小工作温度

- 55 C

最大工作温度

+ 150 C

Pd-功率耗散

37 W

配置

Single

通道模式

Enhancement

高度

1.1 mm

长度

3.3 mm

晶体管类型

1 N-Channel

宽度

3.3 mm

正向跨导 - 最小值

44 S

下降时间

2.2 ns

上升时间

2.8 ns

典型关闭延迟时间

15 ns

典型接通延迟时间

3.3 ns

零件号别名

BSZ036NE2LSATMA1 SP000854572 BSZ36NE2LSXT BSZ036NE

单位重量

100 mg