《炬丰科技-半导体工艺》--技术资料合集四

一：《湿法刻蚀工艺流程》

二：《超临界CO2清洗技术》

三：《湿法耦合P-GaN直观画面工艺》

四：《电解液配液机》

五：《化学沉积的铬薄膜的生长工艺》

六：《硅片制绒和清洗工艺》

七：《宽禁带半导体的湿法化学蚀刻》

八：《高精度点胶机》

九：《氮化镓能代替硅吗》

十：《全自动光刻版清洗机》

十一：《硅的湿法刻蚀工艺》

十二：《炉管清洗机技术方案》

十三：《硅集成电路工艺基础》

十四：《硅工艺过程介绍》

十五：《半导体各类腐蚀工艺》

十六：《薄膜的清洗方法》

十七：《22纳米节点颗粒挑战》

十八：《光学传感器原理》

十九：《氮化镓特性及应用简介》

二十：《CIP清洗系统清洗工艺》

二十一：《氢氟酸的清洗作用》

二十二：《单片式清洗设备》

二十三：《碳化硅粉清洗工艺》

二十四：《DSP安装与使用说明》

二十五：《镀膜后清洗机》

二十六：《磷酸高温腐蚀机》

二十七：《光胶显影与光刻工艺》

二十八：《LCD用光学薄膜技术》

二十九：《等离子体对氮化硅、氧氮化物的影响》

三十：《氮化镓是晶体管替代半导体材料的潜力》