从无到有，彻底搞懂MOSFET讲解（六）

我们知道了三极管 MOS管在进入饱和导通之前，必然会经过放大区。好在三极管经过放大区的时间很短，但是MOS管在米勒平台这段区域的时间会更长，也会更容易损坏。

 

上面是Vgs波形，接下来我们来看Vds波形是什么样子的。

 

那么，我们知道当Vgs电压达到Vth时，MOS管进入放大导通区域，而此时D端的电位会从原来的200V在t1~t2期间内会有略微的下降。

 

 

 

同时，我们也知道，在Vgs电压达到Vth时，Id开始有电流了。

 

我们通过固有转移特性知道，Vgs和Id成比例变化的，所以在米勒平台区域Id电流也是几乎没有变化，理想情况下，我们就认为它们是不变的。

 

那么，到了某一时刻（t3），米勒平台效应就会结束。在米勒平台期间，MOS管的DS内阻Rdson在逐渐变小。

 

 

t1时刻

Vth开通的阈值电压

Vdd(漏极电压)略微下降

Id开始有点电流

t2时刻

米勒平台电压

Vdd(漏极电压)

Id达到最大，管子处于放大状态，

Rdson在一直变化的，从无穷大开始往很小的一个值变

t3时刻

米勒现象消失，固有转移特性结束

Id达到最大，管子处于饱和状态

Rdson变到极小

Vdd(漏极电压)很低

工作在米勒平台区域，与工作在平台后的区域，管子的功耗问题。

工作在米勒平台区域：管子内阻虽然在变小，但是还是很大。由于电流都是最大，所以功耗大。

工作在平台区域之后：由于Rdson极小，所以功耗小。

管子工作在饱和导通状态，相对比较安全。但是还是比较怕很高的dv/dt   di/dt，因为这样斜率很陡，就会对MOS管产生冲击。一般在半导体器件的数据手册里面，都会标出它所能承受的最大的dv/dt  di/dt。实际上MOS管有很多种沟道:

 

最下面的沟道抗冲击最强，不过是英飞凌的，申请了发明专利。

我们知道了，MOS管在米勒平台区发热量极大，内部结温很高，如果来了一个很大的冲击能量，还没等到结温往外散掉，就已经损坏了。如果你这个时候，虽然在外部测量到的表面温度不高，但是已经损坏，就是有可能是这个原因所导致的。