《炬丰科技-半导体工艺》InSb中Be离子注入成结研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：InSb中Be离子注入成结研究

编号：JFKJ-21-269

作者：炬丰科技

介绍  

  本论文的目的是建立基本原则和制造程序将作为研究的基础。本文的研究为本文的研究提供了参考框架，将引导进一步研究先进的技术，改进体InSb光电探测器性能以及极化和等离子体结构的结合 。

电磁波谱  

热探测器的优缺点     略

光电探测器    略