《炬丰科技-半导体工艺》半导体纳米结构的量子传输理论：密度矩阵公式

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体纳米结构的量子传输理论：密度矩阵公式

编号：JFSJ-21-087

作者：炬丰科技

摘要：

纳米科学/技术的最新发展将设备小型化推向了无法再采用传统半经典传输处理的极限，并且必须采用更严格的量子传输方法。  然而，尽管载流子动力学具有量子力学性质在典型纳米结构器件的核心区域——如半导体超晶格、双势垒结构和量子点——这种量子系统的整体行为通常是相位相干和能量弛豫之间非平凡相互作用的结果/ dephasing. 因此，对这种新型纳米级器件的正确处理需要一种理论模型，能够正确解释多体图片中相同基础上的相干和非相干过程，即相中断过程。

更准确地说，所谓的“量子器件”的理想化行为通常通过方阱势的基本物理图和/或简单的量子力学 n 级系统来描述。对于最先进的量子光电器件的定量研究，有两个特征强烈地影响和修改了这样一个简化的场景：所研究的载体系统的内在多体性质，感兴趣的电子系统与各种交互机制的潜在耦合，包括空间边界的存在。

所谓的量子器件的广泛家族可以分为两大类：第一类将半导体器件归为一组，其特征在于其载体子系统的真正量子力学行为，第二类包括低维纳米结构其运输动力学可以在半经典图片中安全地处理。

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