IGCT模块5SHY6545L0001 5SHY4045L0004可控硅主板5SHY35L4510

IGCT模块5SHY6545L0001 5SHY4045L0004可控硅主板5SHY35L4510 5SHY35L4512 5SHY40L4511 5SHY55L4500系列

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IGBT模块的集电极电流增大时，VCE(-). 上升，所产生的额定损耗亦变大。同时，开关损耗增大，原件发热加剧。因此，根据额定损耗,开关损耗所产生的热量,控制器件结温(Tj)在150oC以下(通常为安全起见，以125oC以下为宜)，请使用这时的集电流以下为宜。特别是用作高频开关时，由於开关损耗增大，发热也加剧，需十分注意。- .般来说，要将集电极电流的最大值控制在直流额定电流以下使用,从经济角度这是值得推荐的。