关于溴化铬晶体，拓扑绝缘体Bi2Se3 硒化铋晶体的CVD方法生长过程

关于溴化铬晶体，拓扑绝缘体Bi2Se3 硒化铋晶体的CVD方法生长过程

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化学气相沉积法（CVD)：

化学气相沉积法是指利用高温物理蒸发或反应物质在气态条件下发生化学反应，然后通过气体传输过程使生成物质沉积在加热的基底表面，进而制得材料的工艺技术。

图2-1是利用CVD方法在基底上生长 Bi2Se3的实验装置示意图。打开炉盖，将长120cm、外径6cm的石英管至于炉内，其主要的实验步骤如下:

(1）先把蒸发源粉末放在石英舟的前端，衬底放在距离蒸发源适当的位置，然后将石英舟推入石英管，使蒸发源正好处于中心加热区，最后密封好管口，关闭炉盖;

(2)打开机械泵抽真空，待真空度达到10Pa左右时，通入10分钟载运气体以排出石英管内残余空气，载运气体在整个实验过程中一直通入;

(3）打开试管炉开始加热，待温度达到设定的生长温度时，控制生长时间;

(4）关闭试管炉加热开关，自然冷却至室温，后关闭气体，将样品取出。

Bi2Se3拥有与MoS和石墨烯等层状材料相似的层状结构，层间隙远大于锂离子直径（0.152 nm)，因此具有良好的锂离子存储性能。自组装Bi2Se3球状结构具有很高的孔隙率，孔洞间隙可以存储大量锂离子，进一步提高了锂离子的存储效率。与很多合金类材料相似，Bi2Se3作为锂离子电池负极材料，经过数次充放电循环后易出现结构膨胀，坍塌，减少锂离子存储空间。

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