《炬丰科技-半导体工艺》在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：在硅上生长的 InGaN 基激光二极管的腔镜的晶圆制造

编号：JFSJ-21-034

作者：炬丰科技

摘要：

在硅 (Si) 上生长的直接带隙 III-V 半导体激光器非常适合与 Si 光子学的单片集成。制造具有法布里-珀罗腔的半导体激光器通常包括小面解理，但是，这与片上光子集成不兼容。蚀刻作为一种替代方法在制备腔镜方面具有很大优势，无需将晶片破碎成条形。然而，干法蚀刻制备的氮化镓（GaN）侧壁通常具有较大的粗糙度和蚀刻损伤，这会导致由于表面非辐射复合导致的光学散射和载流子注入损失引起的镜面损失。详细研究了干法蚀刻形成的GaN侧壁面的湿化学抛光工艺，以去除蚀刻损伤并平滑垂直侧壁。

图中。 在 TMAH 溶液中化学抛光不同时间后的 GaN m 面和 a 面侧壁的 SEM 图像。(a) 六方纤锌矿结构的晶胞示意图。(b) 鸟瞰图（倾斜于20°) ICP 干法蚀刻后 m 面侧壁（中间部分）的 SEM 图像。(c,d) TMAH 湿法化学抛光 60 分钟后 m 面侧壁的鸟瞰图（倾斜 20°）和横截面图像。(e,f) TMAH 湿法化学抛光 150 分钟后 m 面侧壁的鸟瞰图（倾斜 20°）和横截面图像。(g,h) TMAH后a平面侧壁的鸟瞰图（倾斜20°）SEM图像湿化学抛光分别为 60 和 150 分钟。

如有侵权，请联系作者删除