一． 晶体管及其放大电路

分析：凡从基级输入（共射，共集电），输入电阻均为RB//(rbe+(1+Bata)RE)，从射级输入，输入电阻等于射级输出的输出电阻：RE//(rbe/(1+Bata))；从集电极输出（共射，共基）输出电阻为Rc，从射级输出，输出电阻为RE//(rbe/(1+Bata))。

从基到集电的放大倍数：-βRL’/rbe；从基到射的放大倍数：(1+β)R’E/(rbe+(1+β)R’E)；从射到集电的放大倍数：βRL’/rbe

二． 场效应管及其放大电路

总结：输入电阻：凡是从栅极输入，Ri=RG。从源级输入，Ri=RS//1/gm(与共漏级Ro一样)。输出电阻：凡是从漏级输出，Ro=RD，从源级输出，Ro=Rs//1/gm

放大倍数：共源级：-gmR’L ;  共漏级：gmR’L/(1+gmR’L)；共栅级：gmR’L

跨导计算：根据

JEFT（和耗尽型MOS管）和增强型MOSEFT分别有，

所以跨导分别为，

三． 差分放大电路

1.      差模输入：射级虚地

①   放大倍数：

总结：①由于差分电路RB的位置与共射不同（差分RB和rbe串联），所以共射放大倍数中的分母由rbe变为rbe+RB。②双出输入输出都扩了2倍，所以Au不变。单出输出只有一半，所以需要除以2。③有负载时，负载看作两个RL/2的串联，因此原共射放大倍数的Rc//RL变为Rc//(RL/2)。④差模输入，射级虚地，所以Au没有RE的作用。

②   差模输入电阻

显然与单出双出，接不接负载没有关系。因此，

该电阻是“两个输入端”看进去的输入电阻，很显然是两倍的共射电路输入电阻。又由于RB的位置不同，所以并联改为相加。

③   差模输出电阻

将两个输入端相连。

2.      共模输入：射级不再虚地

①   共模放大倍数

分析：差分放大电路双出可完全消除共模信号，所以共模双出放大倍数为0. 单出时，RE的负反馈可抑制放大倍速（共射电路同样），与差模不同的是，此时不存在输入输出扩大二倍的问题，所以β不用除以2，但是RE要等效为两个2RE并联，所以共射放大倍数中（1+β）RE要改写成（1+β）2RE。单出负载不除以2.

②   共模输入电阻

与输出方式无关。

③   共模输出电阻

输出电阻与输入无关，输入电阻与输出无关。即输入电阻与差模共模无关，单出就是Rc，双出2Rc；输入电阻与单出双出无关。

四． 频率响应

1.      基本单元的频率响应

分析：f=f0，增益衰减为1/sqrt(2)，所以基本单元的频率响应应为1/(1±jf/f)的形式，这样才能保证f=f0时Au=1/(1±j)；可认为j始终与f相乘，而一律写成1+的形式。低通结构f0在分子，即f很大时Au趋于0

2.      晶体管低频特性：考虑旁路，耦合电容

取二者显著较大的值；若flin和flout接近，则：

总结：忽略RB，忽略RE；低频特性受旁路电容CE，耦合电容C1,C2影响大；CE要等效到输入回路（阻抗乘以1+β，所以电容除以1+β）；CE等效到输入回路后很小，一般的若CE存在，则CE决定fL。

3.      晶体管高频特性：考虑负载电容

经米勒等效后，输入回路成为Us串Rs串rbb’串(rb’e//C1)的结构，根据戴维宁等效再次化简。不考虑结电容时，输出回路

即CL存在时，CL决定fH

五． 运算电路

六． 信号处理

七． 信号发生

1.      正弦波发生器

放大环节A，正反馈环节F，选频网络，稳幅环节

①   文氏电桥振荡器：同相比例器+电压反馈（反馈网络RC串并联）

稳幅措施：温度；稳幅二极管

②   LC型正弦信号发生器

2.      非正弦波发生器

开关器件（比较器），反馈网络，延迟环节

①   三角波：迟滞比较器+积分器

②   方波：迟滞比较器+RC串联反馈延迟环节。

③   压控振荡器VCO：

八． 功率放大电路

1.      甲乙类功放各项指标

2.      晶体管的选择（极限参数）

九． 直流稳压电源

1.      全波整流

2.      电容滤波

3.      串联反馈型线性稳压

4.      集成三端稳压器

集成了串联反馈型线性稳压电路，高精度基准电压源，过流保护电路等。

78系列123输出正电压；79系列213输出负电压。