半导体芯片的盐雾试验

在船舶上或沿海区域使用的半导体芯片，经常会受到盐雾腐蚀，所以要对这类产品进行盐雾试验。GB/T4937 中气候试验方法有：

第2部分：低气压；第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）；第5部分：稳态温湿度偏置寿命试验；第6部分：高温贮存；第11部分：快速温度变化，双液槽法；第13部分：盐雾；第23部分：高温工作寿命；第24部分：加速耐湿，无偏置强加速应力试验（HSAT）；第25部分：温度循环；第42部分：温度和湿度贮存。

半导体芯片盐雾试验方法

1. 将试验样品进行预处理，按照规定承受弯曲应力的预处理，如果已经作为其他试验进行过，则不需要重新进行弯曲；

2. 将试验样品置于循环盐雾试验箱中，设置好所需要的温湿度，调整喷雾量大小与盐雾喷出角度；

3. 试验时间有以下四种：

a. 试验时间：24±2h;

b. 试验时间：48±4h;

c. 试验时间：96±4h;

d. 试验时间：240±8h

根据样品要求选取相应的试验时间，如没有规定，一般选取 a。

结果判定

试验结束后，如果出现以下结果，则判定为失效：

1. 在室内正常照明下，放大1倍~3倍检查，标识模糊；

2. 腐蚀缺陷面积超过任何封装零件（例如盖板、引线或外壳）镀层金属面积的 5%；引线缺损、断裂；放大 10～20 倍检查，完全贯穿零件的腐蚀。

对半导体器件进行盐雾试验，可以确定半导体器件耐腐蚀的能力。