《华林科纳-半导体工艺》减少硅片中金属杂质的方法

本发明涉及一种半导体的制造。在清洗步骤后，“PIRANHA-RCA”清洗顺序的“SC 1”步骤中加入了预定浓度的EDTA等络合物形成剂，以减少残留在硅晶片表面的金属杂质。

在制造半导体设备方面， 一种方法，用于在硅晶片上执行的“RCA-清洗”清洗顺序期间减少硅晶片表面上的金属杂质； 提供一种改性的“SC 1”清洗溶液，以保持溶液中结合的金属络合物，以防止金属在上述硅晶片表面上的保留； 在提供的（NH4OH+H2O2+H2O）化学品溶液中加入预定数量的络合物形成剂的步骤，用于上述“RCA-清洗”的“SC1”清洗步骤； 将上述改性的“SC 1”清洗溶液保留在储罐工具中的步骤； 以及在所述改进的“RCA-清洗”的“SC1”步骤期间的预定时间内在所述改性的“SC1”清洗溶液中浸渍所述硅晶片的改进方法。

 一种方法，用于在硅晶片上执行的“RCA-清洗”清洗顺序期间减少硅晶片表面上的金属杂质； 提供一种改性的“SC 1”清洗溶液，以保持溶液中结合的金属络合物，以防止金属在上述硅晶片表面上的保留。

图1 为一般被通知为“RCA-清洗”的半导体制造清洗顺序的流程图。

图2为对第一图中的“RCA-清洗”加以改进的、本发明的一个球体例子的半导体制造清洗顺序的流程图