Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于独特的共源共栅电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MOSFET 时需要最少的重新设计。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和卓越的反向恢复特性，非常适合开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用。

主要特征

• 导通电阻 (RDS(on))：11 mohm（典型值）

• 最高工作温度：175 °C

• 出色的反向恢复：Qrr = 274 nC

• 低体二极管 VFSD：1.1 V

• 低栅极电荷：QG = 75 nC

• 阈值电压 VG(th)：4.5 V（典型值）允许 0 至 15 V 驱动

VDS 最大值(V)750RDS(on) Typ @ 25C (mohm)11内径最大值(A)104一代第 4 代Tj 最大值(°C)175汽车资质不包装类型D2PAK-7L

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