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UJ3N120035K3S

2023-08-09 09:03 作者:深圳市聚成恒信电子  | 我要投稿

Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电阻 (RDS(ON)) 和栅极电荷 (QG),可实现低导通和开关损耗。在 VGS = 0 V 时具有低 RDS(ON) 的器件常开特性也非常适用于无需主动控制的电流保护电路以及 FET 操作。



主要特征

  • 导通电阻 (RDS(on)):35 mohm(典型值)

  • 电压控制

  • 最高工作温度:175 °C

  • 极快的切换速度不依赖于温度

  • 低栅极电荷

  • 低本征电容



VDS 最大值(V)1,200RDS(on) Typ @ 25C (mohm)35内径最大值(A)63一代第 3 代Tj 最大值(°C)175汽车资质是的包装类型TO-247-3L

UF3N170400B7S

UJ3N065025K3S

UJ3N065080K3S

UJ3N120035K3S

UJ3N120065K3S

UJ3N120070K3S


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