广电计量积极布局第三代半导体功率器件的测试业务，引进国际先进的测试技术，为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务，助力器件国产化、高新化发展。测试项目包括：静态参数、动态参数、热特性、雪崩耐量、短路特性及绝缘耐压测试；设备支持0-1500A，0-3000V的器件参数检测，覆盖MIL-STD-750，IEC 60747系列，GB/T29332等标准。

随着技术发展，第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用，未来应用潜力巨大，这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平，更快的开关时间。

测试周期：

根据标准、试验条件及被测样品量确定

产品范围：

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半导体器件等分立器件，以及上述元件构成的功率模块

测试项目：