APB总线详解及手撕代码
本文的参考资料为官方文档AMBA™3 APB Protocol specification
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APB端口介绍
介绍总线具体握手规则之前,需要先熟悉一下APB总线端口,APB的端口如下:

大体可以分为以下三组:
系统信号:PCLK(系统时钟)、PRESETn(系统复位,低有效)
master信号:PADDR(地址信号,确定读写的地址)、PSELx(片选信号,拉出来接给搭载APB总线的slave,选中slave时,PSELx信号拉高)、PNEABLE(使能信号,在PSELx拉高一个周期后,必定拉高)、PWRITE(写使能信号,PWRITE为高时写有效,为低时读有效)、PWDATA(写数据)
slave信号:PREADY(ready为高时,代表着一次APB数据传输的结束)、PRDATA(读数据)、PSLVERR(错误数据,由slave发出,具体逻辑由slave内部决定,当slave发现内部逻辑出现故障,譬如状态机状态出错、计数器数字异常等,slave都可以使用内部逻辑把该信号拉高,使得master接收到PSLVERR为高时,哪怕ready拉高表示APB结束了,也可以使master放弃该次传输或做出其他应对策略)。
APB写传输

如文档所示,APB的写分为两种情况:①没有等待状态的写;②有等待状态的写。
APB和AHB最大的不同就是APB不采用pipeline形式的写读方式,因此对于APB协议来说,最快的写入或者读出一个数据的周期是两周期,先给地址,再写数据;或者先给地址,再读数据。APB 协议文档中,将上述这种传输方式分为两个阶段(phase),给地址的阶段称为Set up phase;紧接着下一周期PENABLE信号拉高,标志着进入写/读数据的阶段,该阶段称为Access phase。
Write with no wait states

一次没有等待状态的写传输如上图所示,计划写数据时,第一周期PSEL拉高,表示选中某个slave,同时给出地址信息Addr1和写入数据信息Data1,紧接着下一周期,PENABLE信号拉高,PREADY信号也拉高,这时数据写入完成。

没有等待状态的APB连续写波形如上所示(代码见后文),笔者将数据分为了两组,group1为APB slave的端口信号,group2为APB接的单端口SRAM信号。在第一个周期,也就是Setup phase,psel信号拉高,表示slave被选中,值得注意的是此时要将SRAM的写信号和使能信号同步拉高,因为我们写的是一个no wait states的APB接口,数据要在第二周期写进SRAM的话,就需要提前一拍拉高使能信号和写信号。然后到了第二周期,penable信号拉高,pready信号也拉高标志着这一次APB传输的结束。另外,也正是因为在setup phase我们把SRAM的en信号和we信号拉高了,因此在access phase数据传输结束的同时,数据也被写入到SRAM中。
Write with wait states


在文档中,对有等待周期的APB写传输描述如上,即:
一开始的setup phase和write with no wait没有区别,psel拉高,penable为低;紧跟着第二周期,penable拉高之后,进入access phase,进入access phase之后,penable不会拉低,直到pready为高标志着一次传输结束时,penable才会随着pready一起拉低。penable等待pready拉高的这段等待时间为additional cycles,在这个阶段PADDR、PWRITE、PSEL、PENABLE、PWDATA都应该保持不变,可以说总线被hold住了。
APB读传输

APB的读传输也分为两种情况:①没有等待状态的读;②有等待状态的读。
Read with no wait states

一次没有等待状态的读传输如上图所示,读状态和写状态不同,写数据时PWRITE=1,读数据时应该令PWRITE=0计划读数据时,第一周期PSEL拉高,表示选中某个slave,同时给出地址信息Addr1,紧接着下一周期,PENABLE信号拉高,PREADY信号也拉高,这时数据被读出,master接受到读出数据PRDATA。

上图为连续读的APB传输波形图,从第一次读数据可以看到,随着psel信号拉高,PWRITE=0标志着为读状态,此时传入地址给APB的SRAM,SRAM端口en=1,we=0标志着SRAM为读模式,数据在下一周期从SRAM给到prdata。
这边还要提一个APB的特点,也是大多人容易忽略的点,APB总线完成一次读传输或者写传输之后,PADDR和PWRITE不会改变,会一直维持到下一次的传输,这可以减少功耗。spec中描述如下

手撕代码
笔者写了一个Write和Read都是with no states的APB SRAM,因为含有SRAM部分,所以在apb_sram中需要例化一个单端口ram,单端口ram代码如下:
dpram
apb_sram
tb
testbench例化apb_sram并给出激励,我这边在tb中发起了10次连续的随机写,然后再发起10次连续读,发现读出来的数据和写入的数据一致。
接着又测试了写和读无缝衔接在一起的apb传输,结果符合spec。tb代码如下:
vcs仿真结果如下:
波形图
连续10次写、连续10次读、连续10次读写波形如下
