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唐老师讲电赛(6)MOS管

2023-07-01 08:13 作者:bili_22691086850  | 我要投稿

六 ,MOS管

电源类题目就要用到MOS管。

一个NMOS管




MOS管怎样判断(两根线交叉的就是S极 源极)

箭头指向G就是NMOS,,箭头远离G即使PMOS。


先判断是什么沟道(N或P),再判断三个脚极性。

寄生二极管 (是MOS管 与生俱来的二极管)

P:阳极 ; N:阴极。

MOS管的作用: 开关; 隔离 ; 可调电阻。

开关受 栅极(G)的电压控制。

通过单片机使Vg=0V,,就是断开。

给它一个高电平等于1,它就导通。



隔离作用(防反接)

串联一个二极管 ,或者用PMOS (注意串联分压,到电路中的电压是要比输入电压减小一点的)。




左下角是一个G,逆时针依次是S极 ,D极。

NMOS作用 : 开关

无论是NMOS还是PMOS , 我们都可以把它等效为一个开关与一个电阻串联


用单片机来控制 开关的 通或断。

PMOS有一个特点:可以双向导通(D的电流高就又D流向S,,S的电流高,就由S流向D)。

但是PMOS不可以把S极跟D极交换位置,不然单片机就控制不了它了。



VDDS---D极个S极之间最大电压。

VGS---最大的照门--一边拿范围为+-20V。(如果输入22V.MOS管就直接烧了,,可以串联一个 稳压二极管 ,将它稳压到18V)

VGS(th)---必须大于VGS(th)。

Ciss--输入越小越好。

Qgs , Qga ,Qg--QG越小越好。



搞电赛很重要的: 效率=(V0*I0)/Vi*Vi;

I^2Rds(on) 导通损耗与Rds(0n)成正比;

Rds(on)与Qg有关;

开关消耗 与 Qg有关;


Si2301可以用来防反接。



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