三星第六代TLC 250GB固态量产：采用136层堆叠，性能提升功耗降低

8月6日，三星官方宣布开始大规模生产新型250GB  SATA固态硬盘(SSD)。

不过，最重要的不是该硬盘的容量，而该硬盘集成了三星的第六代256Gb 3-bit（TLC） V-NAND技术。

根据三星官方的介绍，通过利用“通道孔蚀刻”技术，新的V-NAND硬盘比之前采用90+层单堆叠结构增加了约40%的层数，为136层。

不过由于层数增加所带来的NAND闪存芯片更容易出现错误和读取延迟，三星对于硬盘重新进行了电路设计，使得采用第六代256Gb 3-bit V-NAND技术的硬盘能拥有低于450微秒(μs)写操作和低于45μs读取延迟。

根据三星的介绍，第六代256Gb 3-bit V-NAND技术与上一代相比，性能提高了10%以上，并且功耗也降低了15%以上。

另外，三星还计划在移动和汽车领域部署全新的 V-NAND 闪存。

除了目前推出250GB SSD以外，三星还计划在今年下半年推出采用第六代512Gb单元的3bit V-NAND SSD和eUFS。