《炬丰科技-半导体工艺》半导体器件制造工艺

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：半导体器件制造工艺

编号：JFSJ-21-127

作者：炬丰科技

摘要：

半导体器件制造工艺的成分：

1.块状材料，例如 Si、Ge、GaAs

2.创造的掺杂物 p- 和 n-类型区域

3.进行接触的金属化

4.钝化保护半导体表面免受电气和化学污染

（1）背面接触（通常为 P 扩散或注入）——此处P掺杂多晶硅（稍后讨论）

（2）在背面沉积二氧化硅

（3）顶面热氧化

（4）二氧化硅的光刻和蚀刻

 （5）硼掺杂以形成 p 型电极并随后去除背面氧化物

（6）铝金属化和图案化以形成触点

如有侵权，请联系作者删除