《炬丰科技-半导体工艺》臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：臭氧溶剂清洗半导体晶片的方法

编号：JFKJ-21-234

作者：炬丰科技

摘要  

  一种通过湿工作台法清洗硅片的方法，该方法可提高清洗效率，且不会产生氧化物。在该方法中，晶圆可以首先在包括碱或酸的第一清洗液中清洗，然后在包括去离子水和臭氧的第二溶液中清洗。去离子水中的臭氧浓度可在约1ppm至约20ppm之间，最好在约3ppm至约10ppm之间。在臭氧/DI水漂洗步骤之后，在最后的漂洗步骤和干燥步骤之前，可以使用稀释的HF清洗步骤来去除硅表面上可能形成的任何氧化物。

     发明背景  

  在半导体器件的制造中，硅片的加工需要大量的去离子水。随着晶圆尺寸的增大，去离子水的消耗增加。例如，加工200毫米的晶圆消耗至少是加工150毫米晶圆消耗的两倍。

  去污水最常用于槽和洗涤器，用于过程中硅片的频繁清洗和漂洗。在对晶片进行任何工艺(如氧化沉积、氮化沉积、SOG沉积或任何其他沉积或蚀刻工艺)后，最好使用去离子水清洗晶片表面。去污水最常用于槽和洗涤器，用于过程中硅片的频繁清洗和漂洗。在对晶片进行任何工艺(如氧化沉积、氮化沉积、SOG沉积或任何其他沉积或蚀刻工艺)后，最好使用去离子水清洗晶片表面。