一种荧光波长可调控的Ⅱ-Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法

一种可调控荧光波长的II一VI族半导体核壳量子点的制备方法，方法是在采用交替离子注入技术包覆CdSe量子点的基础上，将制备好的CdSe核量子点在高温下暴露于空气中，根据暴露时间实现对核量子点荧光进行调控，然后在无水无氧反应氛围下实现包覆。在温度一定条件下，核CdSe样品与大气接触时间越长，核量子点荧光波长越短。

具体制备方法如下：

1、镉的前驱体溶液的制备：氧化镉与油酸在通氩气条件下，240-260℃溶于十八碳烯中，加入氧化镉、油酸和十八碳烯的量，按质量百分比计量分别为0.62-1.56%、16.4-27.0%、82.98-71.44%，在80-90℃水浴下保存;

2、锌的前驱体溶液的制备：氧化锌与油酸在通氩气条件下，300-310℃溶于一八碳烯中，加入氧化锌、油酸和十八碳烯的量，按质量百分比计量分别为0.4-1.0%、16.5-27.1%、83.1-71.9%，在80-90℃水浴下保存;

3、硫前驱体溶液的制备：在通氩气条件下，硫粉在160-180℃下溶于十八碳烯中，加入硫粉和十八碳烯的量，按质量百分比计量分别为0.2-0.4%、99.6一99.8%，在室温下保存;

4、核CdSe的制备：将氧化镉、油酸和十八碳烯装入反应容器中，加入的氧化镉、油酸和十八碳烯的质量百分比分别为 1.13-1.3%、10.5-12.7%、88.37-86%，通氩气条件下的搅拌加热到240-260℃直至氧化镉全部溶解，降至室温，作为的镉的储备液待用;将硒粉溶解于三正丁基磷和十八碳烯的混合液中加入的硒粉、三正丁基磷和十八碳烯的质量百分比分别为4.1-8.2%、28.3-32.7%、67.359.1-59.1%，作为硒的储备液待用;

5、对于与大气接触不同时间的核CdSe样品外包覆 CdS/ZnS根据核 CdSe 量的多少来计算需要用来包覆的前驱体溶液体积，首先包覆第一层 CdS:注入镉前驱体液，在5-10 分钟后，注入硫前驱体液，退火 10-30 分钟，退火温度 230-240℃;然后包覆第二层 ZnS、包覆条件与第一层相同，如此往复，最终得到所需包覆层数的 CdSe/CdS/ZnS 核壳结构量子点。

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