NPTB00004B

GaN 功率晶体管，28 V，5 W DC - 6 GHz

NPTB00004B GaN HEMT 是一款针对 DC - 6 GHz 操作优化的功率晶体管。该器件支持 CW、脉冲和线性操作，输出功率水平高达 5 W (37 dBm)，采用行业标准表面贴装塑料封装。

 

 

 

特征

• 57% 漏极效率 @ 2.5 GHz

• GaN on Si HEMT D 模式晶体管

• 可调谐从 DC - 6 GHz

• 行业标准 SOIC 塑料封装

• 28V操作

• 符合 RoHS* 标准

• 100 % 射频测试

• 14.8 分贝增益 @ 2.5 GHz

• 28 伏操作

• 适用于线性和饱和应用

 

 

产品规格

• 零件号

• NPTB00004B

• 描述

• GaN 功率晶体管，28 V，5 W DC - 6 GHz

• 最小频率(MHz)

• 0

• 最大频率(MHz)

• 6000

• 电源电压(V)

• 28

• PSAT(W)

• 5.0

• 增益（分贝）

• 14.8

• 效率

• >50

• 测试频率(GHz)

• 2.50

• 包裹

• SOIC8

• 包裹类别

• 塑料

 

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