欢迎光临散文网 会员登陆 & 注册

《炬丰科技-半导体工艺》Cmos制造工艺

2021-08-10 11:08 作者:华林科纳  | 我要投稿

书籍:《炬丰科技-半导体工艺》

文章:Cmos制造工艺

编号:JFKJ-21-210

作者:炬丰科技


制造细节

—CMOS晶体管是在硅片上制作的  

 平版印刷的工艺类似于印刷机  

 在每一步,不同的材料被存放或蚀刻  

 最容易理解,通过查看顶部和交叉节晶圆在一个简化的制造过程

互补金属氧化物半导体制造工艺  

CMOS可以使用不同的工艺来制作,例如  

1) N-well工艺CMOS制造  

2) p阱过程  

3)双管cmos制造工艺  

CMOS可以通过集成NMOS和在同一芯片衬底上的PMOS晶体管。  

用于集成NMOS和PMOS设备同样的芯片,特殊区域被称为井或桶其中要求半导体类型和衬底类型 都是相反的。  

CMOS制造工艺  

 步骤1:衬底  

 从p基板开始。  

 步骤2:氧化  

 氧化过程是使用高纯氧和 氢

步骤3       略

步骤4       略

......

步骤9        略


《炬丰科技-半导体工艺》Cmos制造工艺的评论 (共 条)

分享到微博请遵守国家法律