《炬丰科技-半导体工艺》硅片超声清洗方法及配置

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：硅片超声清洗方法及配置

编号：JFKJ-21-316

作者：炬丰科技

摘要

  通过增强微观蚀刻剂浓度均匀性和减少氢气泡粘附来形成亚微米级基本无缺陷硅结构的方法。蚀刻剂混合物经受超声波的应用。超声波促进在微观水平上混合蚀刻剂混合物的空化，并且还有助于促进气泡脱离。将润湿剂添加到蚀刻剂混合物中以增强硅表面的亲水性，从而减少气泡粘附。还公开了执行形成硅结构的方法的装置。

发明背景

  随着对更小硅器件的需求不断增加，并且分辨率持续低于亚微米水平，对均匀和精确的微加工的需求也在增加。半导体器件和扫描探针显微镜中使用的微器件和微结构需要光滑的 2Q 表面和亚微米级的精确蚀刻。此外，在微器件的形成过程中，需要无缺陷的表面将微加工零件粘合在一起。发明内容

  本发明提供了一种在通过使含有润湿剂的湿蚀刻溶液经受超声波来蚀刻硅微结构时提高蚀刻均匀性和图案清晰度的方法。润湿剂使气泡粘附最小化，而超声波用于在微观水平上混合溶液，以提高浓度的均匀性，并从待蚀刻的表面去除气泡。还提供了一种进行超声波辅助湿蚀刻的装置。

本发明的优点和特征将从以下详细说明和图示本发明优选实施例的附图中变得明显。