微电子器件原理第45讲栅电压打开MOSFET电流传输之门的门槛——阈值电压
2023-06-15 20:48 作者:Boanerges113 | 我要投稿






统一的费米能级
形成电荷转移
高费米能级向低费米能级
半导体表面有负电荷的积累








bulk内部有一份费米势的下降
depletion layer有一份费米势的下降
一共是两份
构成恰好形成强反型


氧化层形成电容器








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统一的费米能级
形成电荷转移
高费米能级向低费米能级
半导体表面有负电荷的积累
bulk内部有一份费米势的下降
depletion layer有一份费米势的下降
一共是两份
构成恰好形成强反型
氧化层形成电容器
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