GBU810-ASEMI整流桥GBU810

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GBU810在GBU-4封装里采用的4个芯片，其尺寸都是95MIL，是一款超薄扁桥。GBU810的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为5uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。GBU810采用GPP硅芯片材质，里面有4颗芯片组成。GBU810的电性参数是：正向电流(Io)为8A，反向耐压为1000V，正向电压(VF)为1.1V，其中有4条引线。

GBU810参数描述

型号：GBU810

封装：GBU-4

特性：超薄扁桥

电性参数：8A 1000V

芯片材质：GPP

正向电流(Io)：8A

芯片个数：4

正向电压(VF)：1.1V

芯片尺寸：95 MIL

浪涌电流Ifsm：200A

漏电流(Ir)：5ua

工作温度：-55~+150℃

引线数量：4

GBU810扁桥封装系列。它的本体长度为18.6mm，加引脚长度为36.4mm，宽度为21.9mm，高度为4.2mm，脚间距为5.1mm。

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